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卓以和(Alfred Y. Cho)

美國電機工程學(xué)家。1960年畢業(yè)于美國伊利諾斯大學(xué),1961年、1968年先后獲該校碩士、博士學(xué)位。美國科學(xué)院院士(1985)、美國工程院院士(1985)、美國科學(xué)與藝術(shù)院院士(1989)。美國AT&T公司貝爾實(shí)驗室半導體研究所所長(cháng)、教授。

卓以和教授是國際公認的分子束外延、人工微結構材料生長(cháng)和在新型器件研究領(lǐng)域的奠基人與開(kāi)拓者。對Ⅲ-V族化合物半導體、金屬和絕緣體的異質(zhì)外延和人工結構的量子阱、超晶格及調制摻雜微結構材料系統地開(kāi)展了大量先驅性的研究工作。用研制的新材料,最先研究成功10多種極為重要的、性能優(yōu)異的新型微波高速電子器件和光電子器件。現在又領(lǐng)導AT&TBell實(shí)驗室半導體研究所的合作者,開(kāi)創(chuàng )性地研制成功量子阱級聯(lián)式新型激光器,被認為是半導體激光器發(fā)展中的又一個(gè)里程碑。

卓以和教授對我國發(fā)展分子束外延技術(shù)極為關(guān)切,給予了關(guān)鍵性指導;與我國同行建立了深厚友誼,對促進(jìn)中美兩國學(xué)術(shù)交流,提高我國在國際學(xué)術(shù)界的地位和影響作出了重要貢獻。1996年6月7日當選為中國科學(xué)院外籍院士。