一区视频在线播放_外籍院士名單與簡(jiǎn)介----中國科學(xué)院學(xué)部與院士

院士信息

胡正明（Chenming Calvin Hu）

微電子學(xué)家。美國國籍。1947年7月出生于中國北京。1973年獲美國加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位。1991-1994年任清華大學(xué)（北京）微電子學(xué)研究所榮譽(yù)教授。1997年當選為美國工程科學(xué)院院士。

胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開(kāi)拓者，對半導體器件的開(kāi)發(fā)及未來(lái)的微型化做出了重大貢獻。主要科技成就為：領(lǐng)導研究出BSIM，從實(shí)際MOSFET晶體管的復雜物理推演出數學(xué)模型，該數學(xué)模型于1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會(huì )選為設計芯片的第一個(gè)且唯一的國際標準；發(fā)明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出熱電子失效的物理機制，開(kāi)發(fā)出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，并且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創(chuàng )了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。 1985年應嚴東生院士邀請，胡正明等三位美國科學(xué)家提出了發(fā)展我國微電子科學(xué)技術(shù)的戰略性的重要咨詢(xún)建議，對當時(shí)我國微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展有較大影響。1981年以來(lái)與電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院微電子所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、復旦大學(xué)、浙江大學(xué)等校進(jìn)行合作研究并作學(xué)術(shù)講座，協(xié)助推動(dòng)在中國召開(kāi)國際會(huì )議。1990年在北大與清華設置五名研究生獎學(xué)金，并鼓勵中國留學(xué)生回國發(fā)展半導體工業(yè)。