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雷干城(Steven G. Louie)

  雷干城(Steven G. Louie),美國國籍,凝聚態(tài)物理學(xué)與材料科學(xué)家。1949年3月出生于中國廣東。1972年獲得美國加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位。現任美國加州大學(xué)伯克利分校物理系講座教授、勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室資深科學(xué)家、美國能源部能源材料激發(fā)態(tài)現象計算研究中心(C2SEPEM)中心主任。2005年當選為美國國家科學(xué)院院士,2009年當選美國藝術(shù)與科學(xué)學(xué)院院士,2021年當選為中國科學(xué)院外籍院士。
  雷干城教授是國際凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的領(lǐng)軍人物之一。他在該領(lǐng)域發(fā)表SCI論文600余篇,其中包括ScienceNature 22篇,Nature子刊28篇,Physical Review Letters 134篇。論文的SCI總引用次數8萬(wàn)余次,H指數為134。在2021年的谷歌學(xué)術(shù)“凝聚態(tài)理論”領(lǐng)域,雷干城教授的論文引用量排名世界第二;在“理論物理”領(lǐng)域,引用量排名世界第六。雷干城獲得了美國物理學(xué)會(huì ) Rahman獎(計算物理方向)和 Davisson-Germer獎(原子或表面物理方向)、美國材料研究學(xué)會(huì ) Materials Theory獎等眾多學(xué)術(shù)獎項。
  雷干城教授的科研成就包括:①開(kāi)創(chuàng )并發(fā)展了電子激發(fā)態(tài)計算的方法。提出的基于多體理論的GW-BSE方法,是真實(shí)材料電子激發(fā)態(tài)的第一性原理計算的首個(gè)實(shí)用方案,已成為當今材料的電子激發(fā)態(tài)和光學(xué)性質(zhì)精確預測的主流方法。他領(lǐng)導開(kāi)發(fā)了相應的BerkeleyGW開(kāi)源軟件包,在全世界范圍廣泛使用。②引領(lǐng)了低維物理和納米材料領(lǐng)域的研究。預測了硼氮納米管并與實(shí)驗合作首次加以實(shí)現;預測了石墨烯納米帶的電子/自旋性質(zhì)及豐富的拓撲相位;預測了二維晶體中的巨激子效應,由此修正了用于半導體的光學(xué)選擇定則。③解決了凝聚態(tài)物理中的若干基本理論問(wèn)題。發(fā)現了多電子效應對金屬-分子界面上分子能級重整化的重要性;提出了對贗勢非線(xiàn)性效應的修正;理論解釋了二硼化鎂中的多能隙超導電性、二維磁體的磁性起源與強磁光耦合效應等。