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美國國籍，微納電子科學(xué)家。1945年11月生于甘肅省蘭州市。1974年獲得美國耶魯大學(xué)博士學(xué)位。2003年當選為美國工程院院士。

馬佐平對金屬/氧化物/半導體(MOS)的科學(xué)認知及技術(shù)發(fā)展，尤其是在MOS柵介質(zhì) (包括高介電常數的柵介質(zhì)）的科技領(lǐng)域做出重要貢獻。1970年始他在做超薄（～4納米）柵氧化硅研究中指出隧穿電流對MOS特性的重要影響，發(fā)現了輻射效應或熱載子效應所產(chǎn)生的界面陷阱與在界面附近的應變分布有直接的關(guān)聯(lián)，而據此提出一個(gè)“柵誘導的應變分布”模式來(lái)解釋實(shí)驗的結果，推出在柵氧化硅內摻入極小量的諸如氟、氯或氮等雜質(zhì)來(lái)促成應變的弛豫以降低輻射或熱載子效應的方法。發(fā)現了一個(gè)在經(jīng)歷輻照MOS內的界面陷阱的轉型現象，并隨后對此做了系統的研究。他最先提出用氮化硅(Si₃N₄)做MOS柵介質(zhì)以取代二氧化硅(SiO₂)的概念并首先用實(shí)驗證明其可行性，推動(dòng)了近年引入用更高介電常數的柵介質(zhì)的理念，進(jìn)而推展未來(lái)的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量產(chǎn)High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式實(shí)踐了馬佐平早期理念。最近，他的研究小組創(chuàng )先使用“非彈性電子隧道譜”（IETS）的方法來(lái)探測超薄高介電常數的介質(zhì)內的微結構、微缺陷及雜質(zhì)。IETS有望將來(lái)被廣泛使用，從而進(jìn)一步推動(dòng)MOS柵介質(zhì)的研究及發(fā)展。

馬佐平在耶魯大學(xué)培養了大批華裔微電子科技專(zhuān)家，其中40多位中國學(xué)生在他指導下獲得博士學(xué)位。1993年以來(lái)，他幾乎每年都回國，多次到中國航天技術(shù)院、中國科學(xué)院、清華大學(xué)、北京大學(xué)、山東大學(xué)、天津大學(xué)、復旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)等科研機構和大學(xué)講學(xué)。1994年至2000年間，馬佐平研究小組與中科院新疆物理所的輻射效應小組密切合作，促使中科院新疆物理所成為中國的半導體器件的輻射效應中心之一。2002年到2005年，與清華大學(xué)共同研發(fā)制造先進(jìn)的閃存器件，對清華大學(xué)閃存科研的進(jìn)展有較大的貢獻。2005年，馬佐平與北大微電子學(xué)研究院王陽(yáng)元共同成立了北大-耶魯微納電子合作研究中心，合作研討微電子及納米電子領(lǐng)域的最先進(jìn)的科學(xué)課題。馬佐平受聘為福建省信息產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家委員會(huì )委員，福建省政府顧問(wèn)，蘇州工業(yè)園區微電子業(yè)首席顧問(wèn)。2010年，馬佐平將與國內同行專(zhuān)家在中國合作主辦第十屆國際固態(tài)和集成電路技術(shù)會(huì )議（ICSICT）。