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闕端麟

    半導體材料專(zhuān)家。1928年5月19日生于福建福州。1951年畢業(yè)于廈門(mén)大學(xué)。浙江大學(xué)教授。1991當選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。2014年12月17日逝世。

    1964年在國內首先用硅烷法制成純硅及高純硅烷負責并領(lǐng)導了極高阻硅單晶的研制,并成功地研制出探測器級硅單晶。在硅單晶電學(xué)測試方面,進(jìn)行了新的測試方法和理論研究,提出了雙頻動(dòng)態(tài)電導法和間歇加熱法測試硅材料導電型號發(fā)展了單色紅外光電導衰減壽命的測試技術(shù)和理論,研制生產(chǎn)了儀器,使硅單晶工業(yè)產(chǎn)品壽命測試儀全部國產(chǎn)化。80年代,首先提出用氮作為保護氣直拉硅單晶技術(shù),生產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)低成本硅單晶,開(kāi)辟了微氮直拉硅單晶基礎研究工作。