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李志堅

  微電子技術(shù)專(zhuān)家。1928年5月1日生于浙江寧波。1951年畢業(yè)于浙江大學(xué)物理系。1958年獲蘇聯(lián)列寧格勒大學(xué)物理-數學(xué)副博士學(xué)位。清華大學(xué)教授。1991年當選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。2011年5月2日逝世。

  50年代初,在半導體薄膜光電導和光電機理研究中,提出電子晶粒間界理論,在此基礎上研制成高信噪比PbS紅外探測器。1959年研制成高超純多晶硅。60年代從事硅器件研究,其中平面硅工藝及高反壓硅高頻三極管成果,促進(jìn)了國內有關(guān)的研究和生產(chǎn)。1977年以后主要從事大規模、超大規模集成技術(shù)及器件物理的研究,領(lǐng)導、指導和直接參與了多種靜態(tài)存儲器,8位、16位高速微處理器、EEPROM和1兆位漢字ROM等超大規模集成電路芯片的研制工作,并取得成功。同時(shí)開(kāi)發(fā)出3微米和1微米成套工藝技術(shù)。指導并發(fā)明半導體紅外高速退火技術(shù)和設備。近期的研究包括:系統芯片集成和微電子機械技術(shù)。