精品国产中文字幕_已故院士名單----中國科學(xué)院學(xué)部與院士

院士信息

陳星弼

　　半導體器件及微電子學(xué)專(zhuān)家。原籍浙江浦江，1931年1月28日生于上海。1952年畢業(yè)于同濟大學(xué)電機系。電子科技大學(xué)教授。1999年當選為中國科學(xué)院院士。

　　五十年代末，對漂移晶體管的存貯時(shí)間問(wèn)題在國際上最早作了系統的理論分析。提出新的電荷法基本方程、不均勻介質(zhì)中鏡象電荷方程等。八十年代以來(lái)，從事半導體電力電子器件的理論與結構創(chuàng )新方面的研究。從理論上解決了提高p-n結耐壓的平面及非平面工藝的終端技術(shù)問(wèn)題，作出了一些迄今唯一的理論分析解。在解決MOS功率管中降低導通電阻與提高耐壓之間的矛盾問(wèn)題上作出了系列重要貢獻。發(fā)明了耐壓層的三種新結構，提高了功率器件的綜合性能優(yōu)值，其中橫向耐壓層新結構在制備工藝上與常規CMOS和BiCMOS工藝兼容，有利于發(fā)展耐高壓的功率集成電路。